STPSC2H12
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °C封装 DPAK
1200 V power Schottky silicon carbide diode
- 封装
- DPAK
- 手册
- 10 页 · 463 KB
STPSC2H12 主要参数
来源:原厂数据手册| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
|---|---|
| 封装 | DPAK |
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替代料
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1200 V power Schottky silicon carbide diode
| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
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| 封装 | DPAK |