SCT018H65G3-7
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 55 ARDS(on) 20 mΩ
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
- 手册
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SCT018H65G3-7 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 55 A |
| RDS(on) | 20 mΩ |
技术文档
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替代料
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