STPSC10G065-Y

量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 650 VID 10 A

Automotive 650 V, 10 A high surge silicon carbide power Schottky diode

手册
10 页 · 525 KB

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STPSC10G065-Y 主要参数

来源:原厂数据手册
工作温度-55 ~ 175 °C
VDS650 V
ID10 A

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