STPSC10H12G2-TR
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 1200 VID 10 A封装 D2PAK
1200 V, 10 A, silicon carbide power Schottky diode
- 封装
- D2PAK
- 手册
- 11 页 · 369 KB
STPSC10H12G2-TR 主要参数
来源：原厂数据手册| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
|---|---|
| VDS | 1200 V |
| ID | 10 A |
| 封装 | D2PAK |
技术文档
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替代料
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