STPSC10C065-Y
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °C封装 I2PAK
Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
- 封装
- I2PAK
- 手册
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STPSC10C065-Y 主要参数
来源:原厂数据手册| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
|---|---|
| 封装 | I2PAK |
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Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
|---|---|
| 封装 | I2PAK |