STPSC10065-Y

量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °C

Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

手册
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STPSC10065-Y 主要参数

来源:原厂数据手册
工作温度-40 ~ 175 °C

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