STPSC10065-Y
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °C
Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
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STPSC10065-Y 主要参数
来源:原厂数据手册| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
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Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
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