STPSC10065

量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 VID 10 A

650 V, 10 A low VF power Schottky silicon carbide diode

手册
13 页 · 390 KB

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STPSC10065 主要参数

来源：原厂数据手册
工作温度-40 ~ 175 °C
VDS650 V
ID10 A

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