STPSC10065DLF
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 VID 10 A封装 POWERFLAT8X8
650 V, 10 A power Schottky silicon carbide diode
- 封装
- POWERFLAT8X8
- 手册
- 12 页 · 373 KB
STPSC10065DLF 主要参数
来源：原厂数据手册| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
|---|---|
| VDS | 650 V |
| ID | 10 A |
| 封装 | POWERFLAT8X8 |
技术文档
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