STPSC10H065G2
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 VID 10 A
650 V, 10 A high surge silicon carbide power Schottky diode
- 手册
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STPSC10H065G2 主要参数
来源：原厂数据手册| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
|---|---|
| VDS | 650 V |
| ID | 10 A |
技术文档
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替代料
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