STPSC5G12
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 1200 VID 5 A封装 DPAK
1200 V, 5 A power Schottky high surge silicon carbide diode
- 封装
- DPAK
- 手册
- 11 页 · 591 KB
STPSC5G12 主要参数
来源：原厂数据手册| 工作温度 | -55 ~ 175 °C |
|---|---|
| VDS | 1200 V |
| ID | 5 A |
| 封装 | DPAK |
技术文档
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替代料
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