SCT30N120

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 45 ARDS(on) 80 mΩ

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 80 mΩ typ., 45 A in an HiP247 package

手册
13 页 · 580 KB

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SCT30N120 主要参数

来源：原厂数据手册
VDS1200 V
ID45 A
RDS(on)80 mΩ

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