SCTH35N65G2V-7
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 45 ARDS(on) 55 mΩ
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an H2PAK-7 package
- 手册
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SCTH35N65G2V-7 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 45 A |
| RDS(on) | 55 mΩ |
技术文档
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替代料
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