SCTH90N65G2V-7
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 116 ARDS(on) 18 mΩ
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H²PAK‑7 package
- 手册
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SCTH90N65G2V-7 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 116 A |
| RDS(on) | 18 mΩ |
技术文档
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替代料
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