SCTL35N65G2V
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 40 ARDS(on) 55 mΩ封装 POWERFLAT8X8
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package
- 封装
- POWERFLAT8X8
- 手册
- 14 页 · 317 KB
SCTL35N65G2V 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 40 A |
| RDS(on) | 55 mΩ |
| 封装 | POWERFLAT8X8 |
技术文档
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替代料
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