SCTHCT250N12G3AG
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 239 ARDS(on) 8.5 mΩ
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mΩ typ., 239 A in a STPAK high creepage package
- 手册
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SCTHCT250N12G3AG 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 239 A |
| RDS(on) | 8.5 mΩ |
技术文档
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替代料
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