SCTHS250N65G3

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 237 ARDS(on) 6.7 mΩ

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 237 A in a STPAK package

手册
12 页 · 633 KB

资料有误或侵权？反馈给我们

SCTHS250N65G3 主要参数

来源：原厂数据手册
VDS650 V
ID237 A
RDS(on)6.7 mΩ

技术文档

1 份文档

数据手册

替代料

0 个
暂未收录 SCTHS250N65G3 的替代料信息。