SCTH100N120G2-AG
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 75 ARDS(on) 30 mΩ
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 1200 V, 75 A, 30 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
- 手册
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SCTH100N120G2-AG 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 75 A |
| RDS(on) | 30 mΩ |
技术文档
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替代料
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