SCT50N120

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 65 ARDS(on) 52 mΩ

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mΩ typ., 65 A in an HiP247 package

手册
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SCT50N120 主要参数

来源：原厂数据手册
VDS1200 V
ID65 A
RDS(on)52 mΩ

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