A2TBH45M65W3-FC
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 49 mΩ封装 ACEPACK2
ACEPACK 2 power module, triple boost (650 V, 49 mΩ typ.) plus half-bridge topology (650 V, 23.5 mΩ typ.) SiC Power MOSFET gen. 3 with NTC and capacitance
- 封装
- ACEPACK2
- 手册
- 21 页 · 964 KB
A2TBH45M65W3-FC 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 49 mΩ |
|---|---|
| 封装 | ACEPACK2 |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 A2TBH45M65W3-FC 的替代料信息。