SCTH60N120G2-7AG
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 55 ARDS(on) 45 mΩ
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
- 手册
- 14 页 · 353 KB
SCTH60N120G2-7AG 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 55 A |
| RDS(on) | 45 mΩ |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 SCTH60N120G2-7AG 的替代料信息。