SCTH40N120G2V-7
状态未知SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 36 ARDS(on) 62 mΩ
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mΩ typ., 36 A in an H²PAK-7 package
- 手册
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SCTH40N120G2V-7 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 36 A |
| RDS(on) | 62 mΩ |
技术文档
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替代料
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