SCTH70N120G2V-7
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 90 ARDS(on) 21 mΩ
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 90 A in an H²PAK‑7 package
- 手册
- 14 页 · 373 KB
SCTH70N120G2V-7 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 90 A |
| RDS(on) | 21 mΩ |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 SCTH70N120G2V-7 的替代料信息。