SCTH100N65G2-7AG

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 95 ARDS(on) 20 mΩ

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 95 A in an H²PAK-7 package

手册
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SCTH100N65G2-7AG 主要参数

来源:原厂数据手册
VDS650 V
ID95 A
RDS(on)20 mΩ

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