STPSC20G12
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 1200 VID 20 A封装 DO-247
1200 V, 20 A power Schottky high surge silicon carbide diode
- 封装
- DO-247
- 手册
- 10 页 · 486 KB
STPSC20G12 主要参数
来源：原厂数据手册| 工作温度 | -55 ~ 175 °C |
|---|---|
| VDS | 1200 V |
| ID | 20 A |
| 封装 | DO-247 |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 STPSC20G12 的替代料信息。