STPSC20G065-Y

量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 650 VID 20 A封装 DO-247

Automotive 650 V, 20 A high surge silicon carbide power Schottky diode

封装
DO-247
手册
12 页 · 772 KB

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STPSC20G065-Y 主要参数

来源:原厂数据手册
工作温度-55 ~ 175 °C
VDS650 V
ID20 A
封装DO-247

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