STPSC20G065
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 650 VID 20 A封装 DO-247
650 V, 20 A high surge silicon carbide power Schottky diode
- 封装
- DO-247
- 手册
- 10 页 · 654 KB
STPSC20G065 主要参数
来源：原厂数据手册| 工作温度 | -55 ~ 175 °C |
|---|---|
| VDS | 650 V |
| ID | 20 A |
| 封装 | DO-247 |
技术文档
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