STPSC20065C

量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 VID 10 A封装 TO-247

650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode

封装
TO-247
手册
10 页 · 223 KB

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STPSC20065C 主要参数

来源：原厂数据手册
工作温度-40 ~ 175 °C
VDS650 V
ID10 A
封装TO-247

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