STPSC20H12-Y

量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 1200 VID 20 A

Automotive 1200 V, 20 A, silicon carbide power Schottky diode

手册
14 页 · 463 KB

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STPSC20H12-Y 主要参数

来源:原厂数据手册
工作温度-40 ~ 175 °C
VDS1200 V
ID20 A

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