STPSC20H065CWLY
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
Automotive 20 A 650 V power Schottky silicon carbide diode
- 封装
- TO-247
- 手册
- 10 页 · 249 KB
STPSC20H065CWLY 主要参数
来源：原厂数据手册| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
|---|---|
| 封装 | TO-247 |
技术文档
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替代料
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