NXH004P120M3F2PTNG

状态未知SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 4 mΩ

Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 4 mohm SiC M3 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package with Si3N4 DBC

手册
13 页 · 2.4 MB · Rev. 2

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NXH004P120M3F2PTNG 主要参数

来源:原厂数据手册
RDS(on)4 mΩ

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