NXH007F120M3F2
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 7 mΩ
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 7 mohm, 1200 V, SiC M3S MOSFET, Full Bridge, F2 Package
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NXH007F120M3F2 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 7 mΩ |
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