NDSH10120C-F155
量产SiC / GaN 宽禁带器件封装 TO-247
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 10 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
- 封装
- TO-247
- 手册
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NDSH10120C-F155 主要参数
来源:原厂数据手册| 封装 | TO-247 |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 10 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
| 封装 | TO-247 |
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