NVT2012N065M3S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 12.7 mΩ
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12.7 mohm, 650 V, M3S, T2PAK
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NVT2012N065M3S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 12.7 mΩ |
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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12.7 mohm, 650 V, M3S, T2PAK
| RDS(on) | 12.7 mΩ |
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