UG4SC075009K4S

量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 8.4 mΩ封装 TO247

Silicon Carbide (SiC) Combo JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, TO247‐4, 750 V, 8.4 mohm

封装
TO247
手册
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UG4SC075009K4S 主要参数

来源:原厂数据手册
RDS(on)8.4 mΩ
封装TO247

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