UG4SC075009K4S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 8.4 mΩ封装 TO247
Silicon Carbide (SiC) Combo JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, TO247‐4, 750 V, 8.4 mohm
- 封装
- TO247
- 手册
- 12 页 · 694 KB
UG4SC075009K4S 主要参数
来源:原厂数据手册| RDS(on) | 8.4 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO247 |
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