UG4SC075005L8S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 5.4 mΩ
Silicon Carbide (SiC) Combo JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, H‐PDSO‐F8, 750 V, 5.4 mohm
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UG4SC075005L8S 主要参数
来源:原厂数据手册| RDS(on) | 5.4 mΩ |
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Silicon Carbide (SiC) Combo JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, H‐PDSO‐F8, 750 V, 5.4 mohm
| RDS(on) | 5.4 mΩ |
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