NXH006P120MNF2

量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 6 mΩ

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 6 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package

手册
10 页 · 1.7 MB

资料有误或侵权?反馈给我们

NXH006P120MNF2 主要参数

来源:原厂数据手册
RDS(on)6 mΩ

技术文档

1 份文档

替代料

0 个
暂未收录 NXH006P120MNF2 的替代料信息。