NXH003P120M3F2PTHG

状态未知SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 3 mΩ

Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 3 mohm SiC M3 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package with HPS DBC

手册
14 页 · 2.1 MB · Rev. 4

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NXH003P120M3F2PTHG 主要参数

来源:原厂数据手册
RDS(on)3 mΩ

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