NXH003P120M3F2PTHG
状态未知SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 3 mΩ
Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 3 mohm SiC M3 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package with HPS DBC
- 手册
- 14 页 · 2.1 MB · Rev. 4
NXH003P120M3F2PTHG 主要参数
来源:原厂数据手册| RDS(on) | 3 mΩ |
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