SCTW90N65G2V

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 119 ARDS(on) 18 mΩ

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

手册
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SCTW90N65G2V 主要参数

来源:原厂数据手册
VDS650 V
ID119 A
RDS(on)18 mΩ

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