SCTW90N65G2V
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 119 ARDS(on) 18 mΩ
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
- 手册
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SCTW90N65G2V 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 119 A |
| RDS(on) | 18 mΩ |
技术文档
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替代料
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