SCTWA60N120G2AG

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 52 ARDS(on) 45 mΩ

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package

手册
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SCTWA60N120G2AG 主要参数

来源:原厂数据手册
VDS1200 V
ID52 A
RDS(on)45 mΩ

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