SCTWA20N120

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 20 A

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 m (typ., TJ=150 °C) N-channel in a HiP247 long leads package

手册
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SCTWA20N120 主要参数

来源:原厂数据手册
VDS1200 V
ID20 A

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