SCTWA20N120
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 20 A
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 m (typ., TJ=150 °C) N-channel in a HiP247 long leads package
- 手册
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SCTWA20N120 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 20 A |
技术文档
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替代料
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