SCTWA50N120
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 65 ARDS(on) 52 mΩ
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mΩ typ., 65 A in an HiP247 long leads package
- 手册
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SCTWA50N120 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 65 A |
| RDS(on) | 52 mΩ |
技术文档
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替代料
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