“0” 共 51 个型号· 2 ms

  • Z0103MA工业级

    Sensitive Gate Triacs

    厂商 安森美工作温度 -40 ~ 125 °C
    1 份文档
  • Z0109MA工业级

    Sensitive Gate Triacs

    厂商 安森美工作温度 -40 ~ 125 °C
    1 份文档
  • HSP051-4M10工业级

    4-line ESD protection for high speed lines

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 150 °C
    1 份文档
  • HSP051-4M5工业级

    4-line ESD protection for high speed lines

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 150 °C
    1 份文档
  • HSP061-4M10工业级

    4-line ESD protection for high speed lines

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 150 °C
    1 份文档
  • HSP061-4NY8工业级

    3 V 4-line high speed port protection in QFN-8L

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 150 °C
    1 份文档
  • ST2052已停产工业级

    Current limited power distribution switches

    厂商 意法半导体封装 SO-8工作温度 -40 ~ 85 °C封装 SO-8
    1 份文档
  • STPSC10065工业级

    650 V, 10 A low VF power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
    1 份文档
  • STPSC10065DLF工业级

    650 V, 10 A power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 POWERFLAT8X8工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
    1 份文档
  • STPSC10G065工业级

    650 V, 10 A high surge silicon carbide power Schottky diode

    厂商 意法半导体工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 650 V
    1 份文档
  • 650 V, 10 A power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 POWERFLAT8X8工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
    1 份文档
  • STPSC10H065G2工业级

    650 V, 10 A high surge silicon carbide power Schottky diode

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
    1 份文档
  • STPSC10H12工业级

    1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 DPAK工作温度 -40 ~ 175 °C封装 DPAK
    1 份文档
  • 1200 V, 10 A, silicon carbide power Schottky diode

    厂商 意法半导体封装 DPAK工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 1200 V
    1 份文档
  • STPSC10H12C工业级

    1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
    1 份文档
  • 1200 V, 10 A, silicon carbide power Schottky diode

    厂商 意法半导体封装 D2PAK工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 1200 V
    1 份文档
  • STPSC12065工业级

    650 V, 12 A power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
    1 份文档
  • STPSC12G065工业级

    650 V, 12 A high surge silicon carbide power Schottky diode

    厂商 意法半导体工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 650 V
    1 份文档
  • STPSC16G065工业级

    650 V, 16 A high surge silicon carbide power Schottky diode

    厂商 意法半导体工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 650 V
    1 份文档
  • STPSC16H065A工业级

    650 V power Schottky silicon carbide rectifier

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
    1 份文档