STPSC12G065

量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 650 VID 12 A

650 V, 12 A high surge silicon carbide power Schottky diode

手册
10 页 · 548 KB

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STPSC12G065 主要参数

来源:原厂数据手册
工作温度-55 ~ 175 °C
VDS650 V
ID12 A

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