NXH030S120M3F1

量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 30 mΩ

Silicon Carbide (SiC) Module – 30 mohm, 1200 V, SiC M3S MOSFET, 6-PACK, F1 Package

手册
12 页 · 720 KB

资料有误或侵权?反馈给我们

NXH030S120M3F1 主要参数

来源:原厂数据手册
RDS(on)30 mΩ

技术文档

1 份文档

替代料

0 个
暂未收录 NXH030S120M3F1 的替代料信息。