NXH350N100H4Q2F2P1G

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1000 VID 350 A

Si/SiC Hybrid Module – EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package

手册
20 页 · 2.7 MB

资料有误或侵权？反馈给我们

NXH350N100H4Q2F2P1G 主要参数

来源：原厂数据手册
VDS1000 V
ID350 A

技术文档

1 份文档

数据手册

替代料

0 个
暂未收录 NXH350N100H4Q2F2P1G 的替代料信息。