NXH040P120MNF1
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 40 mΩ
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
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NXH040P120MNF1 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 40 mΩ |
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