NXH300B100H4Q2F2
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1000 VID 100 A
Si/SiC Hybrid Modules – EliteSiC, 3 Channel Flying Capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode, Q2 Package
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NXH300B100H4Q2F2 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1000 V |
|---|---|
| ID | 100 A |
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