NXH100B120H3Q0

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 50 A

Si/SiC Hybrid Modules – EliteSiC, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode, Q0 Package

手册
16 页 · 1.5 MB

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NXH100B120H3Q0 主要参数

来源：原厂数据手册
VDS1200 V
ID50 A

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