NXH020U90MNF2PTG
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 100 ARDS(on) 10 mΩ
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 2 x 10 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2 x 100 A, Vienna Module 900 V, F2 Package
- 手册
- 15 页 · 2.3 MB
NXH020U90MNF2PTG 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 100 A |
| RDS(on) | 10 mΩ |
技术文档
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替代料
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