NXH030P120M3F1
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 30 mΩ
Silicon Carbide (SiC) Module – 30 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
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NXH030P120M3F1 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 30 mΩ |
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